Тема: Автор: Olika Текст: ЕСТЬ ОДИН ПРОФЕССИОНАЛ, МОЖЕТ ПОМОЧЬ С ПРОСЛУШКОЙ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА И ДЕТАЛИЗАЦИЕЙ СМС СООБЩЕНИЙ, ЗАНИМАЕТСЯ ВЗЛОМОМ СТРАНИЧЕК В СОЦСЕТЯХ, ВАЙБЕРА, ВАТСАПА И СКАЙПА (ВЗЛОМОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЫ НЕ ЗАНИМАЕТСЯ). ВОТ ЕГО ПОЧТА mail_crack@rocketmail.com (Ответить)
01.08.2016
Тема:BELOFF 2016.8 (x86/x64/RUS) Автор: sancho Текст: Ну и зачем эти 28Гб всего нужного и не нужного без разбора. Похоже на выгребную яму, свалили всё в кучи, а Вы - разбирайтесь. Держать это на винте, что бы 1 раз установить? А никто не подумал об актуальности этих программ через 3-4 месяца, когда на половину программ уже выйдут обновления??? Да и с обновлениями программ после WPI установки часто возникают проблемы, эти программы просто не обновляются, модули обновления зачастую просто удалены. Бесполезный сборник программ. (Ответить)
Тема: Автор: Katya89 Текст: вот обратилась к Олегу мне помог с перепиской моего супруга в соц сети, спасибо вам. (Ответить)
11.06.2016
Тема: Автор: VampirSH Текст: ЕСТЬ ОДИН ПРОФЕССИОНАЛ, МОЖЕТ ПОМОЧЬ С ПРОСЛУШКОЙ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА И ДЕТАЛИЗАЦИЕЙ СМС СООБЩЕНИЙ, ЗАНИМАЕТСЯ ВЗЛОМОМ СТРАНИЧЕК В СОЦСЕТЯХ, ВАЙБЕРА, ВАТСАПА И СКАЙПА (ВЗЛОМОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЫ НЕ ЗАНИМАЕТСЯ). ВОТ ЕГО НОМЕР: +79282017478 (Ответить)
28.05.2016
Тема: Автор: GTR34HKS Текст: На turbobit.net заливайте лучше. (Ответить)
IT-Новости Samsung создает мобильную DRAM с пропускной способностью в 12,8 ГБ/с
Samsung создает мобильную DRAM с пропускной способностью в 12,8 ГБ/с
22.02.2011, 00:19
Корпорация Samsung Electronics официально объявила о разработке чипов
мобильной DRAM памяти плотностью 1 Гбит (128 МБ) с широким I/O
интерфейсом. Данные чипы созданы по нормам технологии 50 нм класса и
обеспечивают пропускную способность в 12,8 ГБ/с, что в восемь раз
превышает показатель стандартной мобильной DRAM (до 1,6 ГБ/с) и вчетверо
лучше характеристик памяти обычной LPDDR2 DRAM (3,2 ГБ/с).
Чтобы достичь столь выдающейся пропускной способности,
специалистам Samsung пришлось значительно увеличить число контактов для
обеспечения ввода и вывода данных. Таким образом, число контактов в
новой памяти достигает 512 штук, в то время как в предыдущем поколении
мобильной DRAM их количество составляет максимум 32.
Помимо
высокой пропускной способности, новая мобильная DRAM память от Samsung
обладает хорошей энергоэффективностью и потребляет примерно на 87
процентов меньше энергии по сравнению с присутствующими сейчас на рынке
аналогами (что должно положительно сказаться на времени автономной
работы портативной электроники). По словам южнокорейской компании, новая
память является идеальным решением для планшетов и смартфонов, поэтому
она планирует продолжать работу в этом направлении. В частности, в 2013
году планируется представить чипы DRAM с широким I/O интерфейсом и
плотностью в 4 Гбит, изготовленные по технологии 20 нм класса.
Главная
Правила сайта
Форум
Новости 
Новости HI-Tech
Программы 
Музыка 
Мобильник 
Игры 
Игры-online 
Онлайн TV
Фильмы online 
Web мастеру 
Adobe Рhоtoshор 
Видео 
Концерты
Категория: 
Просмотров: 864
Добавил: 
