Тема: Автор: Olika Текст: ЕСТЬ ОДИН ПРОФЕССИОНАЛ, МОЖЕТ ПОМОЧЬ С ПРОСЛУШКОЙ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА И ДЕТАЛИЗАЦИЕЙ СМС СООБЩЕНИЙ, ЗАНИМАЕТСЯ ВЗЛОМОМ СТРАНИЧЕК В СОЦСЕТЯХ, ВАЙБЕРА, ВАТСАПА И СКАЙПА (ВЗЛОМОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЫ НЕ ЗАНИМАЕТСЯ). ВОТ ЕГО ПОЧТА mail_crack@rocketmail.com (Ответить)
01.08.2016
Тема:BELOFF 2016.8 (x86/x64/RUS) Автор: sancho Текст: Ну и зачем эти 28Гб всего нужного и не нужного без разбора. Похоже на выгребную яму, свалили всё в кучи, а Вы - разбирайтесь. Держать это на винте, что бы 1 раз установить? А никто не подумал об актуальности этих программ через 3-4 месяца, когда на половину программ уже выйдут обновления??? Да и с обновлениями программ после WPI установки часто возникают проблемы, эти программы просто не обновляются, модули обновления зачастую просто удалены. Бесполезный сборник программ. (Ответить)
Тема: Автор: Katya89 Текст: вот обратилась к Олегу мне помог с перепиской моего супруга в соц сети, спасибо вам. (Ответить)
11.06.2016
Тема: Автор: VampirSH Текст: ЕСТЬ ОДИН ПРОФЕССИОНАЛ, МОЖЕТ ПОМОЧЬ С ПРОСЛУШКОЙ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА И ДЕТАЛИЗАЦИЕЙ СМС СООБЩЕНИЙ, ЗАНИМАЕТСЯ ВЗЛОМОМ СТРАНИЧЕК В СОЦСЕТЯХ, ВАЙБЕРА, ВАТСАПА И СКАЙПА (ВЗЛОМОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЫ НЕ ЗАНИМАЕТСЯ). ВОТ ЕГО НОМЕР: +79282017478 (Ответить)
28.05.2016
Тема: Автор: GTR34HKS Текст: На turbobit.net заливайте лучше. (Ответить)
IT-Новости Samsung предлагает 40 нм память типа DDR-3 в четырёхгигабитных микросхемах
Samsung предлагает 40 нм память типа DDR-3 в четырёхгигабитных микросхемах
25.02.2010, 17:43
Переводя память на более современные 40 нм техпроцессы, производитель снижает уровень энергопотребления, повышает плотность записи информации, экономит на издержках производства. Покупатель получает более ёмкие модули оперативной памяти, которые потребляют меньше электроэнергии. Компания Samsung вчера объявила о начале массового производства четырёхгигабитных микросхем памяти типа DDR3-1600, выпускаемых по 40 нм технологии.
Впервые представив 40 нм микросхемы DDR-3 в июле прошлого года, компания Samsung за семь месяцев смогла увеличить плотность записи до 4 Гбит. Новое поколение памяти имеет номинальное напряжение 1.35 В или 1.5 В, объём одной планки может достигать 16 или 32 Гб в случае использования регистровой организации, и 8 Гб в случае использования модулей SoDIMM для ноутбуков.
В ближайшее время Samsung планирует перевести более 90% своей памяти типа DRAM на 40 нм технологию производства. Применение модулей памяти нового поколения в серверных системах позволяет снизить общий уровень энергопотребления на величину до 10%.
Главная
Правила сайта
Форум
Новости 
Новости HI-Tech
Программы 
Музыка 
Мобильник 
Игры 
Игры-online 
Онлайн TV
Фильмы online 
Web мастеру 
Adobe Рhоtoshор 
Видео 
Концерты
Категория: 
Просмотров: 523
Добавил: 
